ADM16F03A2Q簡介
● 單源供電
– 4.5V～40V
– 集成LDO（預(yù)驅(qū)12V，內(nèi)核1.2V，數(shù)字I/O5V、模擬3V）
● 低功耗休眠模式流耗
– 20uA
● 高性能16位定點DSP內(nèi)核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛（Harvard）總線結(jié)構(gòu)
– 快速中斷響應(yīng)和處理
● 片內(nèi)存儲器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32) x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運算加速單元
– 除法、開方
– 反正切
– 帕克變換
– 32位乘加及移位
● 15個通用I/O+8個數(shù)字輸入事件管理器EM1
– 4個16位定時/計數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6為3組互補輸出，PWM7/8獨立）
– 1組正交編碼單元
– 3個捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內(nèi)中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時刻
● 集成三相高、低側(cè)半橋驅(qū)動電路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 柵極驅(qū)動電路高側(cè)最高浮動絕對電壓達(dá)到200V
– 驅(qū)動能力 IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=12V，VBS=12V
● ADC
– 12位，轉(zhuǎn)換速率1MSPS
– 16通道，帶溫度傳感器通道
– 通道排序器，可設(shè)置ADC采樣通道序列
● 運算放大器
– 1個OP，可用于母線電流檢測放大
– 3個PGA，可用于相電流檢測放大
● 電壓比較器
– 3個電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測
– 2個電壓比較器，可組成上、下限值保護電路，限值可通過一對連接到比較器輸入端的DAC配置
● 中斷
– 2個外部中斷
– 29個由PIE設(shè)置的外設(shè)中斷
● 數(shù)字延時濾波
– 3組可獨立配置延時濾波單元，分別對應(yīng)外部中斷、功率保護和CAP1/2/3
● 串行通訊外設(shè)
– SPI (半雙工)、SCI
● 時鐘
– 10M片內(nèi)振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~15x
● LIN收發(fā)器
– 兼容“LIN2.x/ISO 17987-4:2016(12V)/SAE J2602”標(biāo)準(zhǔn)
– 帶高壓LDO 5V穩(wěn)壓源輸出
– 內(nèi)置過溫保護功能（熱關(guān)斷）
– 內(nèi)置顯性超時功能
– 總線限流保護功能
– 5V穩(wěn)壓限流保護功能
– 穩(wěn)壓源輸出欠壓檢測功能
– 極低功耗的休眠模式
– 支持總線遠(yuǎn)程喚醒
– LIN數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)20kbps
● 支持WDT
– 基于硬件的實時調(diào)試
● ESD等級(HBM)：2000V
● 溫度范圍：-40°C~125°C（通過AEC-Q100）
● 結(jié)溫：-40°C~150°C
● 封裝形式
– QFN56封裝
– 4.5V～40V
– 集成LDO（預(yù)驅(qū)12V，內(nèi)核1.2V，數(shù)字I/O5V、模擬3V）
● 低功耗休眠模式流耗
– 20uA
● 高性能16位定點DSP內(nèi)核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛（Harvard）總線結(jié)構(gòu)
– 快速中斷響應(yīng)和處理
● 片內(nèi)存儲器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32) x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運算加速單元
– 除法、開方
– 反正切
– 帕克變換
– 32位乘加及移位
● 15個通用I/O+8個數(shù)字輸入事件管理器EM1
– 4個16位定時/計數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6為3組互補輸出，PWM7/8獨立）
– 1組正交編碼單元
– 3個捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內(nèi)中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時刻
● 集成三相高、低側(cè)半橋驅(qū)動電路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 柵極驅(qū)動電路高側(cè)最高浮動絕對電壓達(dá)到200V
– 驅(qū)動能力 IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=12V，VBS=12V
● ADC
– 12位，轉(zhuǎn)換速率1MSPS
– 16通道，帶溫度傳感器通道
– 通道排序器，可設(shè)置ADC采樣通道序列
● 運算放大器
– 1個OP，可用于母線電流檢測放大
– 3個PGA，可用于相電流檢測放大
● 電壓比較器
– 3個電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測
– 2個電壓比較器，可組成上、下限值保護電路，限值可通過一對連接到比較器輸入端的DAC配置
● 中斷
– 2個外部中斷
– 29個由PIE設(shè)置的外設(shè)中斷
● 數(shù)字延時濾波
– 3組可獨立配置延時濾波單元，分別對應(yīng)外部中斷、功率保護和CAP1/2/3
● 串行通訊外設(shè)
– SPI (半雙工)、SCI
● 時鐘
– 10M片內(nèi)振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~15x
● LIN收發(fā)器
– 兼容“LIN2.x/ISO 17987-4:2016(12V)/SAE J2602”標(biāo)準(zhǔn)
– 帶高壓LDO 5V穩(wěn)壓源輸出
– 內(nèi)置過溫保護功能（熱關(guān)斷）
– 內(nèi)置顯性超時功能
– 總線限流保護功能
– 5V穩(wěn)壓限流保護功能
– 穩(wěn)壓源輸出欠壓檢測功能
– 極低功耗的休眠模式
– 支持總線遠(yuǎn)程喚醒
– LIN數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)20kbps
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點功能– 基于硬件的實時調(diào)試
● ESD等級(HBM)：2000V
● 溫度范圍：-40°C~125°C（通過AEC-Q100）
● 結(jié)溫：-40°C~150°C
● 封裝形式
– QFN56封裝
方案特點
